《Ecs Journal Of Solid State Science And Technology》雜志影響因子：1.8。
期刊Ecs Journal Of Solid State Science And Technology近年評價(jià)數(shù)據(jù)趨勢圖
期刊影響因子趨勢圖
以下是一些常見的影響因子查詢?nèi)肟冢?
（1）Web of Science：是查詢SCI期刊影響因子的權(quán)威平臺，收錄全球高質(zhì)量學(xué)術(shù)期刊，提供詳細(xì)的期刊引證報(bào)告，包括影響因子、分區(qū)、被引頻次等關(guān)鍵指標(biāo)。
（2）?Journal Citation Reports (JCR)：JCR是科睿唯安旗下的一個(gè)網(wǎng)站，提供了期刊影響因子、引用數(shù)據(jù)和相關(guān)指標(biāo)。用戶可以在該網(wǎng)站上查找特定期刊的影響因子信息。
（3）中科院SCI期刊分區(qū)表：提供中科院分區(qū)的期刊數(shù)據(jù)查詢，包括影響因子和分區(qū)信息。
《Ecs Journal Of Solid State Science And Technology》雜志是由Electrochemical Society, Inc.出版社主辦的一本以MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY-PHYSICS, APPLIED為研究方向，OA非開放（Not Open Access）的國際優(yōu)秀期刊。
該雜志出版語言為English，創(chuàng)刊于2012年。自創(chuàng)刊以來，已被SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）等國內(nèi)外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質(zhì)量的論文，重點(diǎn)介紹了MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY在分析和實(shí)踐中的理論、研究和應(yīng)用。
?學(xué)術(shù)地位：在JCR分區(qū)中位列Q3區(qū)，中科院分區(qū)為材料科學(xué)大類4區(qū)，MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY材料科學(xué)：綜合小類4區(qū)。
期刊發(fā)文分析
機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 機(jī)構(gòu) | 發(fā)文量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 59 |
| STATE UNIVERSITY SYSTEM OF FLORIDA | 54 |
| KOREA UNIVERSITY | 42 |
| HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 40 |
| UNIVERSITY OF ARIZONA | 30 |
| TIANJIN KEY LAB ELECT MAT & DEVICES | 29 |
| ARACA INC | 27 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 26 |
| IMEC | 25 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 20 |
國家 / 地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國家 / 地區(qū) | 發(fā)文量 |
| CHINA MAINLAND | 299 |
| USA | 244 |
| Japan | 128 |
| South Korea | 128 |
| Taiwan | 98 |
| India | 67 |
| GERMANY (FED REP GER) | 47 |
| Iran | 34 |
| Belgium | 28 |
| Italy | 28 |
期刊引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| APPL PHYS LETT | 1113 |
| ECS J SOLID STATE SC | 574 |
| J APPL PHYS | 552 |
| J ELECTROCHEM SOC | 494 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 249 |
| PHYS REV B | 222 |
| MICROELECTRON ENG | 204 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 202 |
| JPN J APPL PHYS | 189 |
| APPL SURF SCI | 179 |
期刊被引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊被引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| ECS J SOLID STATE SC | 574 |
| J ALLOY COMPD | 98 |
| JPN J APPL PHYS | 89 |
| APPL PHYS LETT | 82 |
| J LUMIN | 80 |
| J APPL PHYS | 65 |
| J MATER CHEM C | 61 |
| APPL SURF SCI | 58 |
| J MATER SCI-MATER EL | 49 |
| MATER RES EXPRESS | 47 |
文章引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 文章引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| 2300V Reverse Breakdown Voltage Ga2O3 Scho... | 32 |
| Review-Field-Effect Transistor Biosensing:... | 31 |
| Review-Theory and Characterization of Dopi... | 26 |
| Review-Mn4+-Activated Red and Deep Red-Emi... | 24 |
| Silver-Doped Titania Modified Carbon Elect... | 22 |
| Review-Phosphor Plates for High-Power LED ... | 19 |
| Review-Narrow-Band Nitride Phosphors for W... | 18 |
| 2.32 kV Breakdown Voltage Lateral beta-Ga2... | 17 |
| Review-Progress in High Performance III-Ni... | 16 |
| Hydrogen Centers in beta-Ga2O3: Infrared S... | 15 |
